Чип 30F131 GT30F131 TO-263-2, Транзистор IGBT

Біполярний транзистор з ізольованим закривом 30F131 у корпусі TO-263-2 для використання в плазмових панелях.

• Максимальна напруга колектор-емітер: 300 В
• Максимальний струм колектор-емітер: 200 А
• Напруга насичення за номінального струму: 1.9 В
• Потужність: 140 Вт